EBSD 实操:滑移与塑性
Schmid 因子与滑移系:由应力牵引一步步算出分切应力
从 Cauchy 牵引定理推导 Schmid 定律,处理晶体度量、应力张量和 CRSS,解释为何最大因子不等于真实活动。
先记住这三点
- 一个滑移系包含滑移面和面内滑移方向,二者缺一不可。
- Schmid 因子是取向与加载决定的几何项,临界剪切应力是材料条件。
- 多轴、局部应力和非 Schmid 行为需要更完整模型。
从一个被切开的平面想起
在应力张量 σ 下,法向为单位向量 n 的平面上牵引为 t=σn。滑移沿该平面内单位向量 s 发生,所以沿滑移方向的剪切分量为 τ=s·t=sᵀσn。这一式先不要求单轴,也不要求立方晶体。
s 与 n 必须用同一正交坐标表示并满足 s·n=0。HCP 指数不能直接作为笛卡尔分量:方向由直接基构造,晶面法向由倒易基构造,分别归一化后再代入。
单轴拉伸下推到 Schmid 因子
单轴应力可写 σ=σ0 l⊗l,l 为加载轴单位向量。代入 τ=sᵀσn,得到 τ=σ0(s·l)(n·l)。定义 m=(s·l)(n·l)=cosλcosφ,其中 λ、φ 分别为加载轴与滑移方向、面法向夹角。
若只关心正反向滑移的难易,可比较 |m|;若研究具有方向性的孪生或有符号剪切,不能随意取绝对值。m 本身无单位,τ 与 σ0 同应力单位。
最大值为什么是 0.5
因为 s⊥n,将 l 分解为 as+bn+cr,其中 r 与二者正交,a²+b²+c²=1。Schmid 因子为 ab,由 2|ab|≤a²+b²≤1,得 |m|≤1/2。等号要求 c=0 且 |a|=|b|=1/√2,即加载轴位于 s、n 张成的平面内并各成 45°。
这个上限属于单轴应力的几何因子。一般多轴状态下直接算 sᵀσn,不能把结果除以任意一个应力后仍要求它不超过 0.5。
跟着推导 · 教学几何
滑移迹线与滑移方向
固定 FCC (111) 面,切换它里面的三个 〈110〉方向。观察:理论迹线不变,Schmid 因子却可以改变。
表面法向 N = (0, 0, 1)
滑移面 n = (0.352, 0.870, 0.345)
滑移方向 s = (0.366, 0.211, -0.906)
t ∝ n × N;迹线角 -22.04°(模 180°)
m = (s·l)(n·l)0.2616|m| = 0.2616,单轴上限 0.5
这个图怎样帮助判定实际滑移?
先用观察到的线约束候选面,再分析面内各方向的驱动力与 CRSS。这里的几何没有提供真实局部应力和实际活动证据,所以不能从 m 最大就宣布某系已活动。图采用已校正的平面表面坐标,不含 SEM 倾斜图像的额外缩短。
一个能手算的 FCC 例子
令晶体 [001] 平行拉伸轴。选择滑移面 (111),其单位法向 n=(1,1,1)/√3;选面内方向 [10−1],s=(1,0,−1)/√2。检查点积为 0,说明方向确实在面内。于是 m=(−1/√2)(1/√3)=−1/√6≈−0.408,幅值约 0.408。
若外加单轴应力为课堂设定的 100 MPa,该系剪切幅值约为 40.8 MPa。能否滑移还要与此温度、应变率和硬化状态下的 CRSS 比较,不能由 0.408 单独判断。此数字是几何算例,不是材料屈服强度预测。
从 EBSD 取向到整张 Schmid 图
对每个像素或晶粒,用 R 将晶体滑移方向 sc 和法向 nc 转到试样:ss=Rsc、ns=Rnc。给定试样加载轴 l,逐个候选系计算 m,保存每系值、最大值与对应候选编号。也可以将加载轴变到晶体坐标 lc=Rᵀl,结果应一致。
若只输出最大 m,一张颜色图会丢失“哪个滑移系”“次优系有多接近”和“面与方向是什么”。建议附候选表与晶粒示例;对于两相材料分别使用相应滑移集合,不能把同一套 FCC 系赋给所有相。
为什么 HCP 中最大 m 常不够
不同 HCP 滑移家族的 CRSS 可相差明显。比较 τ/τc 比只比较 m 更有物理意义;还要考虑温度、成分、应变率与硬化。〈a〉滑移与〈c+a〉滑移对 c 方向形变的贡献不同,邻晶协调可能迫使更难的模式参与。
此外,局部应力可偏离宏观单轴状态。晶界、第二相与已有塑性不均匀性会改变 σlocal,导致按宏观轴计算的排序与实际活动不同。BCC 的非 Schmid 行为也说明仅用一个分切应力判据可能不足。
滑移活动还需要哪些证据
表面滑移迹线可限制滑移面;同区变形前后取向变化可约束晶格转动;DIC 可给表面应变;TEM 或 ECCI 可提供位错层面的证据。它们与 Schmid 排序结合,才能缩小实际活动候选。
同一个面可包含多个滑移方向,迹线匹配只完成面判定的一部分。不能写成“因 Schmid 因子最大,故证实该系滑移”;更准确的是“几何上有利,与所观察迹线相容,仍需方向或局部应力证据”。
教程:先画几何,再出图
先在试样图上画出加载轴和观测面法向;列出相与滑移系;检查面内条件;选择取向到试样的映射;算一颗晶粒手工核对;再生成批量图。若拉伸方向与屏幕水平不一致,优先修正参考系,不能为了图面好看而改写加载方向。
最后报告是否使用晶粒均值、像素取向、单轴或完整应力张量,以及 m 的符号规则。这样读者不仅会点菜单,也能解释输出为何发生变化。
来源与延伸阅读
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