阅读设置
样品与前置条件
- 原始图样或可靠取向与角精度评估
- 统一物理邻域、步长、相和边界掩膜
建议工作流
- 选择具体问题,区分弹性应变、取向散布和 GND。
- 明确 KAM 邻域、GROD 参考与清理策略,估算角噪声。
- 用合成线性转动场检查角度、长度单位及导数。
- 如反演 GND,记录 Nye 符号、位错集合、缺失导数与目标函数。
- HR-EBSD 另保存参考、相关残差、几何与应力边界条件。
- 对步长/滤波/阈值做敏感性分析,附未索引和失效区。
结果怎么解释
- ρ≈θ/(bℓ) 只是量级估计
- 二维 GND 不是总位错密度
局限与常见误区
- SSD 与缺失的三维梯度不可唯一恢复
- 平滑与制样损伤会系统性改变结果
标准与权威来源
请在正式试验前核对适用产品标准、设备 SOP 和标准的现行版本。
[C18] Some geometrical relations in dislocated crystals (1953)连续位错密度张量与晶格曲率联系的经典来源。 本专题声明张量符号约定;二维扫描不提供所有空间导数。↗[C13] Measurement of geometrically necessary dislocation density with high resolution electron backscatter diffraction: Effects of detector binning and step size (2013)研究探测器合并像素与扫描步长对 HR-EBSD GND 测量的影响。 比较不同数据集前统一空间和角分辨率,并报告噪声底。↗[C12] A Review of Strain Analysis Using Electron Backscatter Diffraction (2011)综述 EBSD 应变分析的假设、参数敏感性和限制。 区分弹性应变、晶格转动及塑性变形代理量;KAM 不是通用应变标尺。↗[C14] Understanding deformation with high angular resolution electron backscatter diffraction (HR-EBSD) (2018)解释互相关 HR-EBSD 如何连接图样位移、应变与转动。 教程类会议论文;检查参考图样、投影中心和自由表面假设。↗