阅读设置
01

样品与前置条件

  1. 统一处理与分割的多状态或同区取向图。
  2. 材料变形、热处理历史和代表性组织证据。
02

建议工作流

  1. 先描述晶粒形貌、内部梯度和边界网络，不预先将所有点贴标签。
  2. 按同一规则计算 GOS/GAM，并检查与尺寸和像素数的关系。
  3. 根据材料与实际分布提出候选阈值，明确亚结构与未定规则。
  4. 计算按面积与按数量的比例，二者分别命名。
  5. 检查阈值附近分布，说明微小阈值变化是否改变大量面积。
  6. 核对候选区域的热过程、形貌或独立缺陷证据，区分回复和再结晶。
  7. 分别计算各候选区域织构，将数量增加、长大与整体组分变化分开。
03

结果怎么解释

  1. 低 GOS 的小区域可能只是尺度不足。
  2. 分类比例的精确小数不表示历史判定同样精确。
04

局限与常见误区

  1. 不存在适用于所有材料的通用 GOS 再结晶阈值。
  2. 强平滑可能同时降低多个同源指标。

标准与权威来源

请在正式试验前核对适用产品标准、设备 SOP 和标准的现行版本。